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Mechanism of effect of intrinsic defects on electrical and optical properties of Cu2CdSnS4: an experimental and first-principles study 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2015, 卷号: 48, 期号: 44, 页码: 7
作者:  Meng, L.;  Y. Li;  B. Yao;  Z. H. Ding;  G. Yang;  R. J. Liu;  R. Deng and L. Liu
浏览  |  Adobe PDF(1573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：279/79  |  提交时间：2016/07/15
An experimental and first-principles study on band alignments at interfaces of Cu2ZnSnS4/CdS/ZnO heterojunctions 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2014, 卷号: 47, 期号: 7, 页码: 6
作者:  Dong Z. Y.;  Li Y. F.;  Yao B.;  Ding Z. H.;  Yang G.;  Deng R.;  Fang X.;  Wei Z. P.;  Liu L.
浏览  |  Adobe PDF(1026Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：351/82  |  提交时间：2015/04/24
A very high efficiency electrophosphorescent device doped with short triplet lifetime phosphor using multi-recombination zones 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2010, 卷号: 43, 期号: 10
作者:  Yang D. F.;  Han L. L.;  Li W. L.;  Chu B.;  Su Z. S.;  Zhang D. Y.;  Li T. L.;  Zhang G.;  Zhu J. Z.
Adobe PDF(609Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：612/98  |  提交时间：2012/10/21
Fabrication and properties of B-N codoped p-type ZnO thin films 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2009, 卷号: 42, 期号: 6
作者:  Sui Y. R.;  Yao B.;  Hua Z.;  Xing G. Z.;  Huang X. M.;  Yang T.;  Gao L. L.;  Zhao T. T.;  Pan H. L.;  Zhu H.;  Liu W. W.;  Wu T.
Adobe PDF(802Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：524/70  |  提交时间：2012/10/21
Influence of stress on Raman spectra in Ba1-xSrxTiO3 thin films 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 13, 页码: 2819-2823
作者:  Cao L. Z.;  Cheng B. L.;  Wang S. Y.;  Fu W. Y.;  Ding S.;  Sun Z. H.;  Yuan H. T.;  Zhou Y. L.;  Chen Z. H.;  Yang G. Z.
Adobe PDF(319Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：464/80  |  提交时间：2012/10/21
The optical properties of ZnO films grown on porous Si templates 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 21, 页码: 2705-2708
作者:  Liu Y. L.;  Liu Y. C.;  Yang H.;  Wang W. B.;  Ma J. G.;  Zhang J. Y.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
Adobe PDF(190Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：481/96  |  提交时间：2012/10/21
Temperature-dependent exciton recombination in asymmetrical ZnCdSe ZnSe double quantum wells 期刊论文
Journal of Physics D-Applied Physics, 1999, 卷号: 32, 期号: 13, 页码: 1506-1510
作者:  Yu G. Y.;  Fan X. W.;  Zhang J. Y.;  Zheng Z. H.;  Yang B. J.;  Zhao X. W.;  Shen D. Z.;  Kong X. G.
Adobe PDF(131Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：501/118  |  提交时间：2012/10/21