中文版 | English

在结果中检索

CIOMP OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Crystal characterization of GaP epilayer grown on GaAs by atmospheric pressure metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文
Materials Science and Engineering B-Solid State Materials for Advanced Technology, 2000, 卷号: 77, 期号: 1, 页码: 24-26
作者:  Zhang Z. C.;  Qin X. Y.;  Cui D. L.;  Kong X. G.;  Huang B. B.;  Jiang M. H.
Adobe PDF(90Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：518/124  |  提交时间：2012/10/21
Microstructure studies of GaInAsSb/GaSb heterostructure 期刊论文
Rare Metals, 2000, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: 34-38
作者:  Zhang Z. Y.;  Li S. W.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
Adobe PDF(1422Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：355/33  |  提交时间：2013/03/27
Crystal perfection in GaP films heteroepitaxially grown on GaAs by low-pressure metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文
Rare Metals, 2000, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: 87-90
作者:  Zhang Z. C.;  Pan J. Q.;  Cui D. L.;  Kong X. G.;  Qin X. Y.;  Huang B. B.;  Jiang M. H.
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：424/36  |  提交时间：2013/03/27
Theoretical analysis of the detectivity in N-p and P-n GaSb/GaInAsSb infrared photodetectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 544-552
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
Adobe PDF(284Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：431/98  |  提交时间：2012/10/21