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Effect of buffer thickness on properties of In0.8Ga0.2As/InP with two-step growth technique 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 472, 期号: 1—2, 页码: 587-590
作者:  Zhang T. M.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Yu S. Z.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.
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Investigation on growth related aspects of catalyst-free InP nanowires grown by metal organic chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2009, 卷号: 479, 期号: 1—2, 页码: 832-834
作者:  Yu S. Z.;  Miao G. Q.;  Jin Y. X.;  Zhang T. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Li D. B.;  Sun X. J.
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Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb0.1 grown by MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 466, 期号: 1—2, 页码: 507-511
作者:  Yu S. Z.;  Miao G. Q.;  Xie J. C.;  Jin Y. X.;  Zhang T. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.
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