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Improvement of the Quality of a GaN Epilayer by Employing a SiNx Interlayer 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 8
作者:  Yang D. C.;  Liang H. W.;  Song S. W.;  Liu Y.;  Shen R. S.;  Luo Y. M.;  Zhao H. F.;  Du G. T.
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Comparative study of properties of ZnO/GaN/Al2O3 and ZnO/Al2O3 films grown by low-pressure metal organic chemical vapour deposition 期刊论文
Chinese Physics Letters, 2003, 卷号: 20, 期号: 11, 页码: 2045-2048
作者:  Zhao B. J.;  Yang H. J.;  Du G. T.;  Miao G. Q.;  Yang T. P.;  Zhang Y. T.;  Gao Z. M.;  Wang J. Z.;  Fang X. J.;  Liu D. L.;  Li W. C.;  Ma Y.;  Yang X. T.;  Liu B. Y.
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