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Improvement of the Quality of a GaN Epilayer by Employing a SiNx Interlayer
Yang D. C.; Liang H. W.; Song S. W.; Liu Y.; Shen R. S.; Luo Y. M.; Zhao H. F.; Du G. T.
2012
发表期刊Chinese Physics Letters
ISSN0256-307X
卷号29期号:8
摘要GaN epilayers with a porous SiNx interlayer were grown by metal-organic chemical vapor deposition on c-plane sapphire substrates. It is found that the crystalline qualities are significantly improved with SiNx growth. The improvement is attributed to the reduction of the density of threading dislocations (TDs) by an over-growth process of GaN grown on a SiNx interlayer. The influence mechanism of SiNx interlayers on GaN growth mode is also discussed.
收录类别SCI
语种英语
WOS记录号WOS:000307667100068
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文献类型期刊论文
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GB/T 7714
Yang D. C.,Liang H. W.,Song S. W.,et al. Improvement of the Quality of a GaN Epilayer by Employing a SiNx Interlayer[J]. Chinese Physics Letters,2012,29(8).
APA Yang D. C..,Liang H. W..,Song S. W..,Liu Y..,Shen R. S..,...&Du G. T..(2012).Improvement of the Quality of a GaN Epilayer by Employing a SiNx Interlayer.Chinese Physics Letters,29(8).
MLA Yang D. C.,et al."Improvement of the Quality of a GaN Epilayer by Employing a SiNx Interlayer".Chinese Physics Letters 29.8(2012).
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