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Effect of post annealing on the band gap of Mg(x)Zn(1-x)O thin films 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 3
作者:  Jiang D. Y.;  Shen D. Z.;  Liu K. W.;  Shan C. X.;  Zhao Y. M.;  Yang T.;  Yao B.;  Lu Y. M.;  Zhang J. Y.
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Highly efficient and high colour rendering index white organic light-emitting devices using bis(2-(2-fluorphenyl)-1,3-benzothiozolato-N,C-2 ') iridium (acetylacetonate) as yellow emitter 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 798-801
作者:  Li J.;  Chen P.;  Duan Y.;  Zhao F. F.;  Li C. N.;  Xie W. F.;  Liu S. Y.;  Zhang L. Y.;  Li B.
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A high-speed photoconductive UV detector based on an Mg0.4Zn0.6O thin film 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2007, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 687-690
作者:  Jiang D. Y.;  Zhang J. Y.;  Liu K. W.;  Zhao Y. M.;  Cong C. X.;  Lu Y. M.;  Yao B.;  Zhang Z. Z.;  Shen D. Z.
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Electrical transport properties in nitrogen-doped p-type ZnO thin film 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 12, 页码: 1522-1526
作者:  Xiao Z. Y.;  Liu Y. C.;  Li B. H.;  Zhang J. Y.;  Zhao D. X.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Electrical and structural properties of p-type ZnO : N thin films prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition 期刊论文
Semiconductor Science and Technology, 2005, 卷号: 20, 期号: 8, 页码: 796-800
作者:  Xiao Z. Y.;  Liu Y. C.;  Zhang J. Y.;  Zhao D. X.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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