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AlN材料中缺陷调控及物性研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  贲建伟
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AlN  表面/界面  MOCVD  高温热处理  折射率  
AlGaN材料类同质外延生长及日盲紫外探测器研究 学位论文
, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2019
作者:  蒋科
caj(9945Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：232/0  |  提交时间：2020/08/24
AlN  AlGaN  类同质外延  日盲紫外探测器  
Point defects: key issues for -oxides wide-bandgap semiconductors development 期刊论文
Wuli Xuebao/Acta Physica Sinica, 2019, 卷号: 68, 期号: 16
作者:  X.-H.Xie;  B.-H.Li;  Z.-Z.Zhang;  L.Liu;  K.-W.Liu;  C.-X.Shan
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Wide band gap semiconductors,Arc lamps,Beryllia,Binding energy,Doping (additives),Electroluminescence,Energy gap,II-VI semiconductors,Ionization of gases,Ionization potential,Magnesia,Magnetic semiconductors,Point defects,Semiconductor doping,Semiconductor lasers,Semiconductor quantum wells,Ultraviolet lasers,Zinc oxide  
点缺陷调控:宽禁带Ⅱ族氧化物半导体的机遇与挑战 期刊论文
物理学报, 2019, 卷号: 68, 期号: 16, 页码: 76-90
作者:  谢修华;  李炳辉;  张振中;  刘雷;  刘可为;  单崇新;  申德振
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宽禁带  点缺陷  掺杂  离化能