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| InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积 两步生长法 铟镓砷 砷化镓 缓冲层 |
| 局域表面等离激元增强AlGaN基MSM型日盲紫外探测器 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 包广宏
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Algan日盲紫外探测器 表面等离激元 Al颗粒制备 |
| 基于等离子体激发的氧化锌基深紫外发光器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 胡光冲
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Mgzno 深紫外 等离子体 Mocvd |
| 垂直腔面发射激光器及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210279632.7, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
发明人: 宁永强 ; 张祥伟; 秦莉; 刘云; 王立军
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| CdS量子点敏化ZnO/ZnS纳米结构太阳能电池的研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 孙云飞
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| MgZnO异质结紫外光电探测器件的制备与内增益特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 谢修华
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| 氧化锌基激光器件的设计、制备与特性研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 倪佩楠
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| 稳定的锂氮共掺杂p型氧化锌及其光电器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 申赫
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| AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 陈一仁
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| 氮化铝压电薄膜的反应磁控溅射制备与性能表征 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者: 毕晓猛
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