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痕量氢气法监测硅中阶梯光栅湿法刻蚀截止点 期刊论文
长春工业大学学报, 2015, 期号: 05, 页码: 496-502
作者:  王军
caj(380Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：200/91  |  提交时间：2016/07/06
截止点监测  痕量氢气  湿法刻蚀  中阶梯光栅  
确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201310251594.9, 申请日期: 2014-11-19, 公开日期: 2014-11-19
发明人:  焦庆斌 谭鑫 巴音贺希格 齐向东
Unknown(1124Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：541/143  |  提交时间：2015/02/10
超声强化液固传质动力学模型与硅中阶梯光栅湿法刻蚀技术研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  焦庆斌
Adobe PDF(5377Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：276/1  |  提交时间：2014/08/21