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确定单晶硅湿法刻蚀制作中阶梯光栅中刻蚀截止点的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201310251594.9, 申请日期: 2014-11-19, 公开日期: 2014-11-19
发明人:  焦庆斌 谭鑫 巴音贺希格 齐向东
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