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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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发表日期:2021
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Large-Area Monolayer MoS2 Nanosheets on GaN Substrates for Light-Emitting Diodes and Valley-Spin Electronic Devices
期刊论文
Acs Applied Nano Materials, 2021, 卷号: 4, 期号: 11, 页码: 12127-12136
作者:
P. Yang
;
H. F. Yang
;
Z. Y. Wu
;
F. Y. Liao
;
X. J. Guo
;
J. N. Deng
;
Q. Xu
;
H. M. Wang
;
J. J. Sun
;
F. Chen
;
W. Z. Bao
;
L. G. Hu
;
Z. K. Liu
;
Y. L. Chen
;
Z. J. Qiu
;
Z. L. Fang
;
R. Liu and C. X. Cong
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提交时间:2023/06/14
Calculating the Effect of AlGaN Dielectric Layers in a Polarization Tunnel Junction on the Performance of AlGaN-Based Deep-Ultraviolet Light-Emitting Diodes
期刊论文
Nanomaterials, 2021, 卷号: 11, 期号: 12, 页码: 13
作者:
Y. Wang
;
Z. H. Zhang
;
L. Guo
;
Y. X. Chen
;
Y. H. Li
;
Z. B. Qi
;
J. W. Ben
;
X. J. Sun and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Fast Optimization Design of the Flexure for a Space Mirror Based on Mesh Deformation
期刊论文
Photonics, 2021, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 15
作者:
F. C. Liu
;
W. Li
;
W. G. Zhao
;
X. D. Wang and X. Y. Wang
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提交时间:2023/06/14