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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层  
三级二维光子晶体缩束器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110453047.X, 申请日期: 2014-07-09, 公开日期: 2014-07-09
发明人:  王维彪;  梁中翥;  梁静秋;  周建伟
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高重频CO2激光损伤HgCdTe晶体的机理研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  汤伟
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多级二维光子晶体缩束器 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201110453063.9, 申请日期: 2014-05-28, 公开日期: 2014-05-28
发明人:  王维彪;  梁静秋;  梁中翥;  周建伟
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谐振耦合双向传输光子晶体波导及制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210021941.4, 申请日期: 2014-04-16, 公开日期: 2014-04-16
发明人:  王维彪;  梁中翥;  梁静秋;  周建伟
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光子晶体边耦合双通道光波导传输系统 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201210021943.3, 申请日期: 2014-01-15, 公开日期: 2014-01-15
发明人:  王维彪;  梁静秋
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