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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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出处:Journal of Alloys and Compounds
文献类型:期刊论文
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A high-response ultraviolet photodetector by integrating GaN nanoparticles with graphene
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2021, 卷号: 868
作者:
Y. Chen
;
Y. Wu
;
J. Ben
;
K. Jiang
;
Y. Jia
;
S. Zhang
;
H. Zang
;
Z. Shi
;
B. Duan
;
X. Sun and D. Li
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提交时间:2022/06/13
Modified band alignment at multilayer MoS2/Al2O3 heterojunctions by nitridation treatment
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2019, 卷号: 793, 页码: 599-603
作者:
X.K.Liu
;
K.L.Li
;
X.J.Sun
;
Z.M.Shi
;
Z.H.Huang
;
Z.W.Li
;
L.Min
Adobe PDF(1409Kb)
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浏览/下载:239/69
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提交时间:2020/08/24
Multilayer MoS2,Al2O3 surface,NH3 treatment,Band alignment,field-effect transistor,layer mos2,Chemistry,Materials Science,Metallurgy & Metallurgical Engineering
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
Adobe PDF(1681Kb)
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浏览/下载:646/164
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
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mechanism
breakdown
layer
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ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering