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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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The ultralow driven current ultraviolet-blue light-emitting diode based on n-ZnO nanowires/i-polymer/p-GaN heterojunction 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 17
作者:  Guo Z.;  Zhang H.;  Zhao D. X.;  Liu Y. C.;  Yao B.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Shen D. Z.
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In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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Structural and optical properties of ZnO nanotower bundles 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12
作者:  Tong Y. H.;  Liu Y. C.;  Shao C. L.;  Mu R. X.
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Narrow luminescence lines from self-assembled CdSe quantum dots at room temperature (vol 78, pg 297, 2001) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3749-3749
作者:  Zheng Z. H.
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