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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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收录类别:SCI
出处:Physical Review B
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Growth mechanism and electronic properties of stacking mismatch boundaries in wurtzite III-nitride material
期刊论文
Physical Review B, 2023, 卷号: 107, 期号: 16
作者:
H. Zang, Z. Shi, J. Ben, K. Jiang, Y. Chen, S. Zhang, M. Liu, T. Wu, Y. Jia, X. Sun and D. Li
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提交时间:2024/08/12
Optical coherent injection of carrier and current in twisted bilayer graphene
期刊论文
Physical Review B, 2022, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: 9
作者:
Z. Zheng
;
Y. Song
;
Y. W. Shan
;
W. Xin and J. L. Cheng
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提交时间:2023/06/14
Electric field induced injection and shift currents in zigzag graphene nanoribbons
期刊论文
Physical Review B, 2021, 卷号: 104, 期号: 11
作者:
Y. Wei
;
W. Li
;
Y. Jiang and J. Cheng
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浏览/下载:153/54
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提交时间:2022/06/13
Optical response of (InGa)(AsSb)/GaAs quantum dots embedded in a GaP matrix
期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 19, 页码: 19
作者:
P.Steindl
;
E.M.Sala
;
B.Alen
;
D.F.Marron
;
D.Bimberg
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提交时间:2020/08/24
single-photon source,temperature-dependence,excitonic recombination,raman-spectra,oxygen donor,gaas,emission,luminescence,photoluminescence,localization,Materials Science,Physics
Electronic states of (InGa)(AsSb)/GaAs/GaP quantum dots
期刊论文
Physical Review B, 2019, 卷号: 100, 期号: 11, 页码: 14
作者:
P.Klenovsky
;
A.Schliwa
;
D.Bimberg
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提交时间:2020/08/24
cyclotron-resonance,strain distribution,optical-properties,semiconductors,energy,gap,heterostructures
Nonlinear magneto-optic effects in doped graphene and in gapped graphene A perturbative treatment
期刊论文
Physical Review B, 2018, 卷号: 97, 期号: 12, 页码: 17
作者:
Cheng, J. L.
;
Guo, C.
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提交时间:2019/09/17
semiconductors
plasmonics
photonics
Materials Science
Physics
Nonperturbative model for optical response under intense periodic fields with application to graphene in a strong perpendicular magnetic field
期刊论文
Physical Review B, 2018, 卷号: 97, 期号: 20, 页码: 7
作者:
Cheng, J. L.
;
Guo, C.
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提交时间:2019/09/17
Materials Science
Physics
Plasmon-induced hot carrier transfer to the surface of three-dimensional topological insulators
期刊论文
Physical Review B, 2018, 卷号: 98, 期号: 7, 页码: 7
作者:
Paudel, H. P.
;
Apalkov, V.
;
Sun, X. J.
;
Stockman, M. I.
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提交时间:2019/09/17
electrical detection
spin polarization
charge-current
transport
regime
Materials Science
Physics
Charged defects in two-dimensional semiconductors of arbitrary thickness and geometry: Formulation and application to few-layer black phosphorus
期刊论文
Physical Review B, 2017, 卷号: 96, 期号: 15
作者:
Wang, D.
;
D. Han
;
X. B. Li
;
N. K. Chen
;
D. West
;
V. Meunier
;
S. B. Zhang and H. B. Sun
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提交时间:2018/06/13