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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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收录类别:SCI
出处:Applied Physics Letters
语种:英语
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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer
期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:
K. Jiang
;
X. J. Sun
;
Y. X. Chen
;
S. L. Zhang
;
J. W. Ben
;
Y. Chen
;
Z. H. Zhang
;
Y. P. Jia
;
Z. M. Shi and D. B. Li
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提交时间:2023/06/14
Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors
期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:
You K.
;
Jiang H.
;
Li D. B.
;
Sun X. J.
;
Song H.
;
Chen Y. R.
;
Li Z. M.
;
Miao G. Q.
;
Liu H. B.
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浏览/下载:835/120
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提交时间:2012/10/21
Visible-blind ultraviolet sensitive photodiode with high responsivity and long term stability
期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 2
作者:
Wu S. H.
;
Li W. L.
;
Chu B.
;
Lee C. S.
;
Su Z. S.
;
Wang J. B.
;
Ren Q. J.
;
Hu Z. Z.
;
Zhang Z. Q.
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提交时间:2012/10/21