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Luminescence Performance of Colloidal Quantum Dots Regulated by Band Edge Mode in One-dimensional Photonic Crystals 期刊论文
Faguang Xuebao/Chinese Journal of Luminescence, 2023, 卷号: 44, 期号: 9, 页码: 1546-1551
作者:  Y. Meng, Y. Zhang, X. Guo, Y. Lyu and X. Liu
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An Ultra-Broad Tunable Mid-Infrared Laser Based on Beam Combination of Dual Gain Chips 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2023, 卷号: 43, 期号: 11
作者:  Y. Ma, H. Wu, Z. Li, J. Zhang, X. Zhang, C. Chen, Y. Ning, Y. Qu, H. Peng, L. Qin and L. Wang
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Review of ultraviolet photodetectors based on micro/nano-structured wide bandgap semiconductor oxide 期刊论文
Chinese Optics, 2022, 卷号: 15, 期号: 5, 页码: 912-928
作者:  X. Chen;  C. Zhou;  K.-W. Liu and D.-Z. Shen
浏览  |  Adobe PDF(6212Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：285/74  |  提交时间：2023/06/14
VECSEL Thermal Focus Length Measurement and Angle Tuning Research 期刊论文
Zhongguo Jiguang/Chinese Journal of Lasers, 2021, 卷号: 48, 期号: 5
作者:  Y. Gao;  J. Guo;  W. Wang;  C. Tong and X. Liang
浏览  |  Adobe PDF(3551Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：196/85  |  提交时间：2022/06/13
638 nm narrow linewidth diode laser with a grating external cavity 期刊论文
Chinese Optics, 2020, 卷号: 13, 期号: 6, 页码: 1249-1256
作者:  Y. Liu, Y. Liu, H.-D. Xiao, H.-L. Li, D.-P. Qu and Q. Zheng
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Application of emerging transition metal dichalcogenides in ultrafast lasers 期刊论文
Chinese Optics, 2020, 卷号: 13, 期号: 4, 页码: 647-659
作者:  J.-j. Sun, F. Chen, Y. He, C.-x. Cong, J.-y. Qu, Y.-h. Ji and H. Bao
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Repetition frequency variation of a 2 m GaSb-based passively mode-locked laser Invited 期刊论文
Hongwai yu Jiguang Gongcheng/Infrared and Laser Engineering, 2020, 卷号: 49, 期号: 12, 页码: 5
作者:  X. Li,H. Wang,Z. Qiao,Y. Zhang,Z. Niu,C. Tong and C. Liu
浏览  |  Adobe PDF(1704Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：181/40  |  提交时间：2021/07/06
Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:  Li Xiang;  Wang Hong;  Qiao Zhongliang;  Zhang Yu;  Xu Yingqiang;  Niu Zhichuan;  Tong Cunzhu;  Liu Chongyang
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Gallium compounds  Antimony compounds  III-V semiconductors  Indium antimonides  Quantum well lasers  Semiconductor lasers  Semiconductor quantum wells  
808nm InGaAlAs垂直腔面发射激光器的结构设计 期刊论文
中国激光, 2011, 卷号: 38, 期号: 9, 页码: 0902007-1
作者:  宁永强;  秦莉;  刘云;  王立军
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利用In0.82Ga0.18As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层 期刊论文
发光学报, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 612-616
作者:  缪国庆
Adobe PDF(1103Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：560/136  |  提交时间：2012/05/11