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中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
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Electronic Devices and Circuits Based on Wafer-Scale Polycrystalline Monolayer MoS2 by Chemical Vapor Deposition
期刊论文
Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 8, 页码: 10
作者:
L.Wang
;
L.Chen
;
S.L.Wong
;
X.Huang
;
W.G.Liao
;
C.X.Zhu
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提交时间:2020/08/24
chemical vapor deposition (CVD),integrated circuits,memory,MoS2,transistors,transition-metal dichalcogenides,graphene transistors,integrated-circuits,phase growth,mobility,layers,Science & Technology - Other Topics,Materials Science,Physics
Tunneling of photon-generated carrier in the interface barrier induced resistive switching memory behaviour
期刊论文
Journal of Colloid and Interface Science, 2019, 卷号: 553, 页码: 682-687
作者:
B.Sun
;
T.Guo
;
G.D.Zhou
;
S.Ranjan
;
W.T.Hou
;
Y.M.Hou
;
Y.Zhao
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提交时间:2020/08/24
Resistive switching,Tunneling,Photon-generated carrier,Schottky,barrier,Memory device,wo3 nanoflakes,resistance,mechanism,device,Chemistry
Effect of crystalline state on conductive filaments forming process in resistive switching memory devices
期刊论文
Materials Today Communications, 2019, 卷号: 20, 期号: 5
作者:
T.Guo
;
H.Elshekh
;
Z.Yu
;
B.Yu
;
D.Wang
;
M.S.Kadhim
;
Y.Z.Chen
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Cu(In, Ga)Se-2,Crystalline state,Conductive filaments,Memory device,current-voltage characteristics
Design of liquid crystal-deformable mirror adaptive optical system data acquisition and process software
期刊论文
Optics and Precision Engineering, 2018, 卷号: 26, 期号: 6, 页码: 1507-1516
作者:
Wang Yu-kun, 王玉坤
;
Cao Zhao-liang, 曹召良
;
Li Da-yu, 李大禹
;
Xu Huan-yu, 徐焕宇
;
Xuan Li, 宣 丽
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Adaptive optics
Adaptive control systems
Data acquisition
Deformation
Laboratories
Liquid crystals
Loudspeakers
Memory architecture
Mirrors
Modular construction
Modulation
Optical systems
Optical testing
Software design
Software testing
Wavefronts
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
;
Miao, G. Q.
;
Song, H.
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Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Transparency Engineering in Quantum Dot-Based Memories
期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 13, 页码: 7
作者:
Arikan, I. F.
;
Cottet, N.
;
Nowozin, T.
;
Bimberg, D.
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band engineering
memory
quantum dots
resonant tunnel
resonant-tunneling current
dependence
Materials Science
Physics
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications
期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:
Sala, E. M.
;
Arikan, I. F.
;
Bonato, L.
;
Bertram, F.
;
Veit, P.
;
Christen, J.
;
Strittmatter, A.
;
Bimberg, D.
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AlP barrier
GaP
InGaSb
MOVPE growth
nanoscale memory
quantum dots
hole localization
ohmic contacts
luminescence
resistance
Physics
A CFCC-LSTM Model for Sea Surface Temperature Prediction
期刊论文
Ieee Geoscience and Remote Sensing Letters, 2018, 卷号: 15, 期号: 2, 页码: 207-211
作者:
Yang, Y. T.
;
Dong, J. Y.
;
Sun, X.
;
Lima, E.
;
Mu, Q. Q.
;
Wang, X. H.
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提交时间:2019/09/17
Long short term memory (LSTM)
sea surface temperature (SST)
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Engineering
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Imaging Science
& Photographic Technology