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808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 09, 页码: 1793-1797
作者:  张永明;  钟景昌;  路国光;  秦莉;  赵英杰;  郝永芹;  姜晓光
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单量子阱激光器  808nm  Ingaasp  温度特性  
InGaAsP单量子阱激光器热特性研究 期刊论文
半导体光电, 2005, 期号: 04, 页码: 291-293
作者:  张永明;  钟景昌;  路国光;  秦莉
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单量子阱激光器  Inga As p  热特性  特征温度  
垂直腔面发射激光器及其进展 期刊论文
光机电信息, 2003, 期号: 07, 页码: 18-21
作者:  赵路民;  王青;  宁永强;  王立军
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面发射激光器:8081  垂直腔:4048  Vcsel:3381  半导体激光器:1500  阈值电流:1048  边发射激光器:890  量子阱激光器:878  应变量子阱结构:864  中国科学院:805  光互连:742  
量子阱半导体激光器材料的MBE生长研究 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 1998, 期号: 03, 页码: 15-17+22
作者:  刘国军;  张千勇;  杨晗;  曲轶;  夏伟;  张兴德;  李梅;  王晓华;  李学谦;  薄报学;  张宝顺
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分子束外延  量子阱激光器  
SCH量子阱激光器的光学限制特性 期刊论文
光学学报, 1995, 期号: 03, 页码: 268-271
作者:  薄报学;  任大翠;  张兴德
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分别限制异质结构（sch量子）阱激光器  光波导  限制因子