CIOMP OpenIR  > 中科院长春光机所知识产出
808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性
张永明; 钟景昌; 路国光; 秦莉; 赵英杰; 郝永芹; 姜晓光
2005-09-08
发表期刊半导体学报
期号09页码:1793-1797
关键词单量子阱激光器 808nm Ingaasp 温度特性
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/30224
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
张永明,钟景昌,路国光,等. 808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性[J]. 半导体学报,2005(09):1793-1797.
APA 张永明.,钟景昌.,路国光.,秦莉.,赵英杰.,...&姜晓光.(2005).808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性.半导体学报(09),1793-1797.
MLA 张永明,et al."808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性".半导体学报 .09(2005):1793-1797.
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