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碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2004, 期号: 02, 页码: 219-222
作者:  王向武;  张岚;  黄子乾;  潘彬;  李肖;  李忠辉
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金属有机化合物化学气相沉积  铝镓砷  碳掺杂  激光器  
大功率InGaAsP/InGaP/GaAs激光器特性研究 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2003, 期号: 01, 页码: 11-13
作者:  李忠辉;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
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分别限制异质结构  单量子阱  无铝激光器  
大功率GRIN-SCH-SQW激光器阵列 期刊论文
固体电子学研究与进展, 2002, 期号: 03, 页码: 255-256+264
作者:  李忠辉;  王玲;  李梅;  高欣;  张兴德
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分子束外延  阵列半导体激光器  分别限制  量子阱  
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 02, 页码: 90-91+95
作者:  李忠辉;  李梅;  王玲;  高欣;  王玉霞;  张兴德
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分别限制结构  阈值电流密度  外微分量子效率  
高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 01, 页码: 90-92
作者:  李忠辉;  王玉霞;  高欣;  李梅;  王玲;  张兴德
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梯度折射率  分别限制结构  单量子阱  激光器  
850nm有源区无铝高功率SCH-SQW激光器 期刊论文
中国激光, 2002, 期号: 01, 页码: 5-6
作者:  李忠辉;  王玉霞;  王玲;  高欣;  王向武;  张兴德
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有源区  大功率激光器  分别限制单量子阱  
LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者:  李忠辉;  王向武;  杨进华;  张兴德
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金属有机化合物气相外延  宽波导  分别限制  单量子阱  无铝激光器  
液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究 期刊论文
兵工学报, 2001, 期号: 02, 页码: 214-217
作者:  杨进华;  高欣;  李忠辉;  吴根柱;  张兴德
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液相外延  大功率  半导体激光器  
红外精确制导技术的现状及发展趋势 期刊论文
长春光学精密机械学院学报, 2000, 期号: 04, 页码: 19-24
作者:  李忠辉;  李军;  李辉;  徐莉;  张兴德
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精确制导  探测器  半自动制导  点源寻的制导  成像制导  
LP-MOCVD生长大功率InGaAsP/GaAs量子阱激光器 期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 期号: 03, 页码: 232-235
作者:  李忠辉;  张宝顺;  杨进华;  张兴德;  王向武
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分别限制结构  单量子阱  激光器