Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器 | |
王向武; 张岚; 黄子乾; 潘彬; 李肖; 李忠辉 | |
2004-06-30 | |
发表期刊 | 固体电子学研究与进展 |
期号 | 02页码:219-222 |
关键词 | 金属有机化合物化学气相沉积 铝镓砷 碳掺杂 激光器 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29866 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王向武,张岚,黄子乾,等. 碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器[J]. 固体电子学研究与进展,2004(02):219-222. |
APA | 王向武,张岚,黄子乾,潘彬,李肖,&李忠辉.(2004).碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器.固体电子学研究与进展(02),219-222. |
MLA | 王向武,et al."碳掺杂AlGaAs的MOCVD生长及808nm大功率激光器".固体电子学研究与进展 .02(2004):219-222. |
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