Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响 | |
李忠辉; 李梅; 王玲; 高欣; 王玉霞; 张兴德 | |
2002-04-30 | |
发表期刊 | 半导体光电 |
期号 | 02页码:90-91+95 |
关键词 | 分别限制结构 阈值电流密度 外微分量子效率 |
文献类型 | 期刊论文 |
条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/29834 |
专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 李忠辉,李梅,王玲,等. InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响[J]. 半导体光电,2002(02):90-91+95. |
APA | 李忠辉,李梅,王玲,高欣,王玉霞,&张兴德.(2002).InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响.半导体光电(02),90-91+95. |
MLA | 李忠辉,et al."InGaAsP/InGaP/GaAs SQW激光器的腔长对J_(th)和η_d的影响".半导体光电 .02(2002):90-91+95. |
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