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| 单颗粒CVD金刚石的场发射 期刊论文
物理学报, 2007, 期号: 1
作者: 元光; 郭大勃; 顾长志; 窦艳; 宋航
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场发射 金刚石颗粒 I-v特性 Pool-frenkel输运 |
| 以碳纳米管阵列为场致发射阴极的X射线源研究 期刊论文
光学学报, 2004, 期号: 10, 页码: 1434-1436
作者: 解滨; 陈波; 宋航; 元光; 巩岩; 尼启良
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X射线源 碳纳米管 场致发射 流气式正比计数器 光谱 |
| 场发射显示用冷阴极的硅衬底结构及制备 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2004-07-28, 公开日期: 2012-08-29
发明人: 宋航; 李志明; 赵海峰; 元光; 金亿鑫
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| MOCVD生长InP/GaInAsP DBR结构及相关材料特性 期刊论文
发光学报, 2003, 期号: 06, 页码: 632-636
作者: 蒋红; 金亿鑫; 缪国庆; 宋航; 元光
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金属有机化学气相沉积 Inp/gainasp 分布布喇格反射结构 |
| 硅基籽晶上化学气相沉积金刚石薄膜及其场发射特性 期刊论文
发光学报, 2003, 期号: 03, 页码: 313-317
作者: 赵海峰; 宋航; 元光; 李志明; 蒋红; 缪国庆; 金亿鑫
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金刚石薄膜 场发射 籽晶密度 电泳沉积 |
| 可低压驱动的金刚石薄膜冷阴极特性研究 期刊论文
发光学报, 2003, 期号: 03, 页码: 309-312
作者: 元光; 宋航; 李树玮; 蒋红; 缪国庆; 金亿鑫; 三村秀典; 横尾邦义
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金刚石薄膜 场发射机理 低压驱动 面发射 |
| MBE生长的垂直堆垛InAs量子点及HFET存储器件的应用 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 06, 页码: 554-558
作者: 李树玮; 缪国庆; 蒋红; 元光; 宋航; 金亿鑫; 小池一步; 矢野满明
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垂直堆垛的inas量子点 分子束外延(Mbe) 深能级瞬态谱 场效应管(Fet) 非挥发存储器 |
| 生长温度对In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP的LPMOCVD生长影响 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 05, 页码: 465-468
作者: 缪国庆; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 李树玮; 元光; 宋航
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铟镓砷 生长温度 低压金属有机化学气相沉积 |
| Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响 期刊论文
半导体光电, 2002, 期号: 04, 页码: 271-273
作者: 缪国庆; 金亿鑫; 蒋红; 周天明; 李树玮; 元光; 宋航
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铟镓砷 Ⅴ/ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积 |
