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InGaAs/GaAs异质结材料的MOCVD生长及性质研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  韩智明
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金属有机化合物化学气相淀积  两步生长法  铟镓砷  砷化镓  缓冲层  
AlxGa1-xN和AlN/GaN材料的MOCVD生长与器件研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  陈一仁
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MgZnO合金薄膜带隙调制及其紫外探测器件 学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:  郑剑
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LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者:  李忠辉;  王向武;  杨进华;  张兴德
caj(73Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：426/78  |  提交时间：2013/03/11
金属有机化合物气相外延  宽波导  分别限制  单量子阱  无铝激光器