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| Brief Review of Development and Techniques for High Power Semiconductor Lasers 期刊论文
Guangxue Xuebao/Acta Optica Sinica, 2021, 卷号: 41, 期号: 1
作者: Y. Ning; Y. Chen; J. Zhang; Y. Song; Y. Lei; C. Qiu; L. Liang; P. Jia; L. Qin and L. Wang
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| 大功率半导体激光器发展及相关技术概述 期刊论文
光学学报, 2020, 卷号: 41, 期号: 01, 页码: 191-200
作者: 宁永强 ; 陈泳屹; 张俊; 宋悦; 雷宇鑫; 邱橙; 梁磊; 贾鹏; 秦莉; 王立军
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激光器 半导体激光器 大功率 芯片技术 合束技术 |
| Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser 期刊论文
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者: Li Xiang; Wang Hong; Qiao Zhongliang; Zhang Yu; Xu Yingqiang; Niu Zhichuan; Tong Cunzhu; Liu Chongyang
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Gallium compounds Antimony compounds III-V semiconductors Indium antimonides Quantum well lasers Semiconductor lasers Semiconductor quantum wells |
| Experimental characterization of polarization gain properties of 808 nm semiconductor laser and analysis of energy band based on amplified spontaneous emissions from double facets 期刊论文
Acta Physica Sinica, 2013, 卷号: 62, 期号: 17
作者: Ma M. L.; Wu J.; Yang M.; Ning Y. Q.; Shang G. Y.
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| 大功率半导体激光器列阵的热特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2010
作者: 王烨
 Adobe PDF(1933Kb) | 收藏 | 浏览/下载：406/2 | 提交时间：2013/03/01 |
| 808nmInGaAsP单量子阱激光器激射波长的温度依赖性 期刊论文
半导体学报, 2005, 期号: 09, 页码: 1793-1797
作者: 张永明; 钟景昌; 路国光; 秦莉; 赵英杰; 郝永芹; 姜晓光
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单量子阱激光器 808nm Ingaasp 温度特性 |
| InGaAsP单量子阱激光器热特性研究 期刊论文
半导体光电, 2005, 期号: 04, 页码: 291-293
作者: 张永明; 钟景昌; 路国光; 秦莉
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单量子阱激光器 Inga As p 热特性 特征温度 |
| 高功率线性梯度折射率GaAs/AlGaAs单量子阱激光器 期刊论文
发光学报, 2002, 期号: 01, 页码: 90-92
作者: 李忠辉; 王玉霞; 高欣; 李梅; 王玲; 张兴德
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梯度折射率 分别限制结构 单量子阱 激光器 |
| LP-MOVPE生长宽波导有源区无铝单量子阱激光器 期刊论文
半导体学报, 2001, 期号: 12, 页码: 1557-1560
作者: 李忠辉; 王向武; 杨进华; 张兴德
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金属有机化合物气相外延 宽波导 分别限制 单量子阱 无铝激光器 |
