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Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者:  Chen Y. R.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Zhang Z. W.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Miao G. Q.
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Improved performance of GaN metal-semiconductor-metal ultraviolet detectors by depositing SiO2 nanoparticles on a GaN surface 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Jiang H.;  Li Z. M.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.
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Influence of threading dislocations on GaN-based metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 1
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Miao G. Q.;  Jiang H.
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Cascade-energy-level alignment based organic photovoltaic cells by utilizing copper phthalocyanine as bipolar carrier transporting layer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14
作者:  Zhang G.;  Li W. L.;  Chu B.;  Chen L. L.;  Yan F.;  Zhu J. Z.;  Chen Y. R.;  Lee C. S.
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High response organic ultraviolet photodetector based on blend of 4,4 ', 4 ''-tri-(2-methylphenyl phenylamino) triphenylaine and tris-(8-hydroxyquinoline) gallium 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 10
作者:  Su Z. S.;  Li W. L.;  Chu B.;  Li T. L.;  Zhu J. Z.;  Zhang G.;  Yan F.;  Li X.;  Chen Y. R.;  Lee C. S.
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