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Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence 期刊论文
Materials, 2018, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 11
作者:  Song, Y.;  Zhang, L. G.;  Zeng, Y. G.;  Qin, L.;  Zhou, Y. L.;  Ning, Y. Q.;  Wang, L. J.
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AlGaInAs quantum well  metal organic chemical vapor deposition  cathodeluminescence  thermal treatment  segregation  lasers  inp  semiconductors  dislocations  ingaalas  epitaxy  origin  band  Materials Science  
AlGaN photonics_recent advances in materials and ultraviolet devices 期刊论文
Advances in Optics and Photonics, 2018, 卷号: 10, 期号: 1, 页码: 43-110
作者:  Li, D. B.;  Jiang, K.;  Sun, X. J.;  Guo, C. L.
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light-emitting-diodes  high-quality aln  temperature  stimulated-emission  2nd-order optical-response  atomic-layer epitaxy  vapor-phase epitaxy  z-scan measurement  p-type conduction  room-temperature  avalanche photodiodes  Optics  
Transparency Engineering in Quantum Dot-Based Memories 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 13, 页码: 7
作者:  Arikan, I. F.;  Cottet, N.;  Nowozin, T.;  Bimberg, D.
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band engineering  memory  quantum dots  resonant tunnel  resonant-tunneling current  dependence  Materials Science  Physics  
MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文
Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7
作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.;  Christen, J.;  Strittmatter, A.;  Bimberg, D.
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AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics