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Effect of buffer layer annealing temperature on the crystalline quality of In0.82Ga0.18As layers grown by two-step growth method 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2011, 卷号: 509, 期号: 24, 页码: 6751-6755
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
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p-Type MgZnO thin films grown using N delta-doping by plasma-assisted molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2010, 卷号: 504, 期号: 2, 页码: 484-487
作者:  Liu W. W.;  Yao B.;  Li Y. F.;  Li B. H.;  Zhang Z. Z.;  Shan C. X.;  Zhang J. Y.;  Shen D. Z.;  Fan X. W.
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Effect of buffer layer thickness and epilayer growth temperature on crystalline quality of InAs0.9Sb0.1 grown by MOCVD 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2008, 卷号: 466, 期号: 1—2, 页码: 507-511
作者:  Yu S. Z.;  Miao G. Q.;  Xie J. C.;  Jin Y. X.;  Zhang T. M.;  Song H.;  Jiang H.;  Li Z. M.
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