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| Reproducible bipolar resistive switching in entire nitride AlN/n-GaN metal-insulator-semiconductor device and its mechanism 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 105, 期号: 19, 页码: 5
作者: Chen Y. R.; Song H. ; Jiang H.; Li Z. M.; Zhang Z. W.; Sun X. J.; Li D. B.; Miao G. Q.
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| High Mg-content wurtzite MgZnO alloys and their application in deep-ultraviolet light-emitters pumped by accelerated electrons 期刊论文
Applied Physics Letters, 2014, 卷号: 104, 期号: 3, 页码: 4
作者: Ni P. N.; Shan C. X.; Li B. H.; Shen D. Z.
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| Single-crystalline cubic MgZnO films and their application in deep-ultraviolet optoelectronic devices 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 13
作者: Wang L. K.; Ju Z. G.; Zhang J. Y.; Zheng J.; Shen D. Z.; Yao B.; Zhao D. X.; Zhang Z. Z.; Li B. H.; Shan C. X.
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| In-plane electric field induced by polarization and lateral photovoltaic effect in a-plane GaN 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 23
作者: Hu W. G.; Ma B.; Li D. B.; Miyake H.; Hiramatsu K.
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| Valence-band offset of epitaxial ZnOMgO (111) heterojunction determined by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2008, 卷号: 92, 期号: 19
作者: Li Y. F.; Yao B.; Lu Y. M.; Li B. H.; Gai Y. Q.; Cong C. X.; Zhang Z. Z.; Zhao D. X.; Zhang J. Y.; Shen D. Z.; Fan X. W.
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| A direct first principles study on the structure and electronic properties of BexZn1-xO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2007, 卷号: 91, 期号: 12
作者: Fan X. F.; Zhu Z.; Ong Y. S.; Lu Y. M.; Shen Z. X.; Kuo J. L.
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| Observation of 1.5 m photoluminescence and electroluminescence from a holmium organic complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5115-5117
作者: Zang F. X.; Li W. L.; Hong Z. R.; Wei H. Z.; Li M. T.; Sun X. Y.; Lee C. S.
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| Observation of 1.5 mu m photoluminescence and electroluminescence from a holmium organic complex 期刊论文
Applied Physics Letters, 2004, 卷号: 84, 期号: 25, 页码: 5115-5117
作者: Zang F. X.; Li W. L.; Hong Z. R.; Wei H. Z.; Li M. T.; Sun X. Y.; Lee C. S.
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