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Investigation on the formation mechanism of p-type Li-N dual-doped ZnO 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 22
作者:  Zhang B. Y.;  Yao B.;  Li Y. F.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Shan C. X.;  Zhao D. X.;  Shen D. Z.
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ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates 期刊论文
Applied Physics Letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 3
作者:  Jiao S. J.;  Zhang Z. Z.;  Lu Y. M.;  Shen D. Z.;  Yao B.;  Zhang J. Y.;  Li B. H.;  Zhao D. X.;  Fan X. W.;  Tang Z. K.
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Ground state splitting of vertically stacked indium arsenide self-assembled quantum dots 期刊论文
Applied Physics Letters, 2002, 卷号: 81, 期号: 19, 页码: 3594-3596
作者:  Li S. W.;  Koike K.
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Narrow luminescence lines from self-assembled CdSe quantum dots at room temperature (vol 78, pg 297, 2001) 期刊论文
Applied Physics Letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 23, 页码: 3749-3749
作者:  Zheng Z. H.
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