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Three-dimensional metal semiconductor meta bipolar ultraviolet phototransistor based on GaN p-i-n epilayer 期刊论文
Applied Physics Letters, 2021, 卷号: 119, 期号: 16, 页码: 6
作者:  K. Jiang;  X. J. Sun;  Y. X. Chen;  S. L. Zhang;  J. W. Ben;  Y. Chen;  Z. H. Zhang;  Y. P. Jia;  Z. M. Shi and D. B. Li
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Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:  You K.;  Jiang H.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Liu H. B.
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Visible-blind ultraviolet sensitive photodiode with high responsivity and long term stability 期刊论文
Applied Physics Letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 2
作者:  Wu S. H.;  Li W. L.;  Chu B.;  Lee C. S.;  Su Z. S.;  Wang J. B.;  Ren Q. J.;  Hu Z. Z.;  Zhang Z. Q.
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