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| Reversible manipulation of lattice defects in single-crystal SnO2 microrod by applying mechanical stress and voltage 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2018, 卷号: 125, 期号: 8
作者: Sakurai, Makoto; Liu, Kewei ; Aono, Masakazu
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Semiconducting tin compounds Defects Single crystals Transmission electron microscopy |
| Conversion mechanism of conductivity of phosphorus-doped ZnO films induced by post-annealing 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 113, 期号: 19
作者: Li J.; Yao B.; Li Y.; Ding Z.; Xu Y.; Zhang L.; Zhao H.; Shen D.
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| High frequency local vibrational modes of oxygen doped CdSe 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 19
作者: Cheng W.; Liu L.; Yu P. Y.
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| Color tunable phosphorescence in KY3F10:Tb3+ for x-ray or cathode-ray tubes 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 106, 期号: 3
作者: Zhang J. S.; Hao Z. D.; Zhang X.; Luo Y. S.; Ren X. G.; Wang X. J.; Zhang J. H.
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| The bipolar doping of ZnS via native defects and external dopants 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 11
作者: Gai Y. Q.; Li J. B.; Yao B.; Xia J. B.
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| Two-carrier transport and ferromagnetism in FeSe thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 11
作者: Wu X. J.; Zhang Z. Z.; Zhang J. Y.; Li B. H.; Ju Z. G.; Lu Y. M.; Li B. S.; Shen D. Z.
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| Surface defects and their influence on structural and photoluminescence properties of CdWO4 : Eu3+ nanocrystals 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 5
作者: Dai Q. L.; Song H. W.; Pan G. H.; Bai X.; Zhang H.; Qin R. F.; Hu L. Y.; Zhao H. F.; Lu S. Z.; Ren X. G.
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| Structure and optically pumped lasing from nanocrystalline ZnO thin films prepared by thermal oxidation of ZnS thin films 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 6, 页码: 3293-3298
作者: Zhang X. T.; Liu Y. C.; Zhang L. G.; Zhang J. Y.; Lu Y. M.; Shen D. Z.; Xu W.; Zhong G. Z.; Fan X. W.; Kong X. G.
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| High quality ZnO thin films grown by plasma enhanced chemical vapor deposition 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 1, 页码: 501-505
作者: Li B. S.; Liu Y. C.; Chu Z. S.; Shen D. Z.; Lu Y. M.; Zhang J. Y.; Fan X. W.
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