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Microscopic View of Defect Evolution in Thermal Treated AlGaInAs Quantum Well Revealed by Spatially Resolved Cathodoluminescence 期刊论文
Materials, 2018, 卷号: 11, 期号: 6, 页码: 11
作者:  Song, Y.;  Zhang, L. G.;  Zeng, Y. G.;  Qin, L.;  Zhou, Y. L.;  Ning, Y. Q.;  Wang, L. J.
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AlGaInAs quantum well  metal organic chemical vapor deposition  cathodeluminescence  thermal treatment  segregation  lasers  inp  semiconductors  dislocations  ingaalas  epitaxy  origin  band  Materials Science  
AlGaInAs近红外半导体激光器外延结构的退化机理研究 学位论文
博士, 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所): 中国科学院大学(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所), 2018
作者:  宋悦
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AlGaInAs应变量子阱  铟离析  载流子局域化中心  热膨胀系数  热处理  
852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 640-646
作者:  徐华伟;  宁永强;  曾玉刚;  张星;  秦莉;  刘云;  王立军
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激光器  Algainas  量子阱  数值模拟  
反射各向异性谱在线监测852nm半导体激光器AlGaInAs/AlGaAs量子阱的MOCVD外延生长 期刊论文
中国激光, 2012, 期号: 05, 页码: 53-58
作者:  徐华伟;  宁永强;  曾玉刚;  张星;  张建伟;  张建;  张立森
caj(501Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：444/105  |  提交时间：2013/03/11
激光器  Algainas  反射各向异性谱  金属有机化合物汽相沉积