Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| 852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性 | |
徐华伟; 宁永强 ; 曾玉刚; 张星; 秦莉; 刘云; 王立军
| |
| 2012-06-15 | |
| 发表期刊 | 发光学报
 |
| 期号 | 06页码:640-646 |
| 关键词 | 激光器 Algainas 量子阱 数值模拟 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/27239 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐华伟,宁永强,曾玉刚,等. 852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性[J]. 发光学报,2012(06):640-646. |
| APA | 徐华伟.,宁永强.,曾玉刚.,张星.,秦莉.,...&王立军.(2012).852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性.发光学报(06),640-646. |
| MLA | 徐华伟,et al."852nm半导体激光器InGaAlAs、InGaAsP、InGaAs和GaAs量子阱的温度稳定性".发光学报 .06(2012):640-646. |
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