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GaN纳米线的制备及光催化性能研究 期刊论文
电子科技, 2016, 期号: 8, 页码: 140-144
作者:  李佳;  姜涛;  程宏斌;  郑学军;  王现英;  吴东旭
caj(282Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：359/83  |  提交时间：2017/09/17
Gan  纳米线  罗丹明b  紫外光  光催化  
石墨烯应用于GaN基材料的研究进展 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 7, 页码: 778-785
作者:  徐昌一
caj(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：200/60  |  提交时间：2017/09/17
石墨烯  Gan材料  石墨烯gan接触  
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  王新建;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  缪国庆;  陈一仁;  孙晓娟
caj(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：709/184  |  提交时间：2013/03/11
Aln  Gan缓冲层  晶体结构  晶粒尺寸  
初始化生长条件对a-GaN中应变的影响 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 06, 页码: 581-585
作者:  贾辉;  陈一仁;  孙晓娟;  黎大兵;  宋航;  蒋红;  缪国庆;  李志明
caj(327Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：640/141  |  提交时间：2013/03/11
A-gan  各向异性  拉曼散射光谱  残余应变