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GaN纳米线的制备及光催化性能研究
李佳; 姜涛; 程宏斌; 郑学军; 王现英; 吴东旭
2016-08-15
发表期刊电子科技
期号8页码:140-144
摘要采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的Ga N纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试。结果表明,通过化学气相沉积法制备出了高质量的Ga N纳米线,且Ga N作为催化剂有一定的光催化效果。罗丹明B水溶液会因染料自身敏化作用而降解,但实验发现达到相同降解水平时无催化剂要比有催化剂至少多10 min。Ga N作为催化剂时的降解速率k值为0.068 min~(-1),其数值相对于无催化剂时提高了17.2%。
关键词Gan 纳米线 罗丹明b 紫外光 光催化
语种中文
文献类型期刊论文
条目标识符http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57598
专题中科院长春光机所知识产出
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GB/T 7714
李佳,姜涛,程宏斌,等. GaN纳米线的制备及光催化性能研究[J]. 电子科技,2016(8):140-144.
APA 李佳,姜涛,程宏斌,郑学军,王现英,&吴东旭.(2016).GaN纳米线的制备及光催化性能研究.电子科技(8),140-144.
MLA 李佳,et al."GaN纳米线的制备及光催化性能研究".电子科技 .8(2016):140-144.
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