Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,CAS
| GaN纳米线的制备及光催化性能研究 | |
| 李佳; 姜涛; 程宏斌; 郑学军; 王现英; 吴东旭 | |
| 2016-08-15 | |
| 发表期刊 | 电子科技
 |
| 期号 | 8页码:140-144 |
| 摘要 | 采用化学气相沉积法(CVD)制备了大量的Ga N纳米线,使用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱(EDS)和光致发光光谱仪(PL)对制备的样品形貌、结构、成分和发光性能进行了表征,并对其进行降解罗丹明B水溶液的光催化性能测试。结果表明,通过化学气相沉积法制备出了高质量的Ga N纳米线,且Ga N作为催化剂有一定的光催化效果。罗丹明B水溶液会因染料自身敏化作用而降解,但实验发现达到相同降解水平时无催化剂要比有催化剂至少多10 min。Ga N作为催化剂时的降解速率k值为0.068 min~(-1),其数值相对于无催化剂时提高了17.2%。 |
| 关键词 | Gan 纳米线 罗丹明b 紫外光 光催化 |
| 语种 | 中文 |
| 文献类型 | 期刊论文 |
| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/57598 |
| 专题 | 中科院长春光机所知识产出 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 李佳,姜涛,程宏斌,等. GaN纳米线的制备及光催化性能研究[J]. 电子科技,2016(8):140-144. |
| APA | 李佳,姜涛,程宏斌,郑学军,王现英,&吴东旭.(2016).GaN纳米线的制备及光催化性能研究.电子科技(8),140-144. |
| MLA | 李佳,et al."GaN纳米线的制备及光催化性能研究".电子科技 .8(2016):140-144. |
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| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| GaN纳米线的制备及光催化性能研究.ca（282KB） | 期刊论文 | 作者接受稿 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 浏览 下载 | |
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