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一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: 201310066232.2, 申请日期: 2014-06-18, 公开日期: 2014-06-18
发明人:  王彤彤;  高劲松;  王笑夷
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一种低温沉积含银类金刚石薄膜的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2011-01-26, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  王彤彤;  高劲松;  王笑夷
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一种低温沉积折射率可变的类金刚石薄膜的方法 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  高劲松;  王彤彤;  王笑夷
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离子/等离子体辅助蒸发方法制备碳锗合金膜 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2004-12-15, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  高劲松;  王笑夷
Adobe PDF(228Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：311/45  |  提交时间：2012/08/29
低压反应离子镀方法制备碳锗合金膜 (发明) 专利
专利类型: 发明专利, 申请日期: 2004-12-15, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  王笑夷;  高劲松
Adobe PDF(210Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：424/73  |  提交时间：2012/08/29