| 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法 |
| 王彤彤 ; 高劲松; 王笑夷
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| 2014-06-18
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| 专利权人 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
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| 公开日期 | 2014-06-18
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| 授权国家 | 中国
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| 专利类型 | 发明
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| 摘要 | 本发明去除碳化硅基底上硅厚膜的方法属于薄膜沉积技术领域，该方法是使用化学试剂去除硅厚膜，先用碱和酸的溶剂将表面的有机污染物去除，然后使用混合酸溶液将硅厚膜腐蚀、去除，最后将碳化硅基底表面清洗干净。本发明的有益效果是：该方法可以在不损伤碳化硅基底和表面面形的前提下快速去除硅厚膜，克服了物理抛光法带来的周期长、耗时多和容易改变碳化硅基底的镜胚面形的技术风险问题，有效地提高了碳化硅基底的加工效率，具有很高的实用价值。 |
| 专利号 | 201310066232.2
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| 语种 | 中文
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| 专利状态 | 公开
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| 申请号 | 201310066232.2
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| PCT属性 | 是
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| 专利代理人 | 田春梅
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| 文献类型 | 专利
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| 条目标识符 | http://ir.ciomp.ac.cn/handle/181722/42057
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| 专题 | 中科院长春光机所知识产出
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推荐引用方式
GB/T 7714 |
王彤彤,高劲松,王笑夷. 一种去除碳化硅基底上硅厚膜的方法. 201310066232.2[P]. 2014-06-18.
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文件名：
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CN201310066232-一种去除碳化硅基...-审定授权.pdf
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格式：
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Adobe PDF
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