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Modulation of Field-Effect Passivation at the Back Electrode Interface Enabling Efficient Kesterite-Type Cu2ZnSn(S,Se)(4) Thin-Film Solar Cells 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 34, 页码: 38163-38174
作者:  Y. P. Song,H. H. Sun,B. Yao,Y. F. Li,Z. H. Ding,W. Qin,Z. Z. Zhang,L. G. Zhang,H. F. Zhao and D. C. Pan
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Synthesis of Two-Dimensional Alloy Ga0.84In0.16Se Nanosheets for High-Performance Photodetector 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 50, 页码: 43299-43304
作者:  Yu, M. M.;  Li, H.;  Liu, H.;  Qin, F. L.;  Gao, F.;  Hu, Y. X.;  Dai, M. J.;  Wang, L. F.;  Feng, W.;  Hu, P. A.
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Ga0.84In1.86Se  alloy engineering  photodetectors  two-dimensional  materials  III-VI group semiconductors  temperature  gase  inse  deposition  graphene  mobility  growth  films  Science & Technology - Other Topics  Materials Science