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Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire 期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 812-816
作者:  Hu W. G.;  Ma B.;  Li D. B.;  Narukawa M.;  Miyake H.;  Hiramatsu K.
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