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Nonvolatile and Programmable Photodoping in MoTe2 for Photoresist-Free Complementary Electronic Devices 期刊论文
Advanced Materials, 2018, 卷号: 30, 期号: 52, 页码: 9
作者:  Liu, T.;  Xiang, D.;  Zheng, Y.;  Wang, Y. A.;  Wang, X. Y.;  Wang, L.;  He, J.;  Liu, L.;  Chen, W.
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homogeneous p-n junctions and inverters  MoTe2/BN heterostructures  nonvolatile and programmable  photodoping in MoTe2 devices  photoresist-free  transition-metal dichalcogenides  black phosphorus  mos2  wse2  inverters  graphene  diodes  Chemistry  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  Physics  
Effects of magnesium on phosphorus chemical states and p-type conduction behavior of phosphorus-doped ZnO films 期刊论文
Journal of Chemical Physics, 2013, 卷号: 138, 期号: 3
作者:  Li J.;  Li Y.;  Yao B.;  Xu Y.;  Long S.;  Liu L.;  Zhang Z.;  Zhang L.;  Zhao H.;  Shen D.
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High pressure synthesis and characterization of noble metal nitride IrNx 期刊论文
Materials Letters, 2013, 期号: 107
作者:  Ding Z.;  Qiu L.;  Li Y.;  Zheng D.;  Yao B.;  Liu L.;  Zheng W.;  Liu X.
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Uniform mesoporous Anatase-brookite biphase TiO2 hollow spheres with high crystallinity via ostwald ripening 期刊论文
Journal of Physical Chemistry C, 2013, 卷号: 117, 期号: 42
作者:  Zhao Y.;  Pan F.;  Li H.;  Zhao D.;  Liu L.;  Xu G. Q.;  Chen W.
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