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Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy 期刊论文
Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 117, 期号: 5, 页码: 5
作者:  Y. Chen,H. Zang,K. Jiang,J. W. Ben,S. L. Zhang,Z. M. Shi,Y. P. Jia,W. Lu,X. J. Sun and D. B. Li
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Formation of stable and reproducible low resistivity and high carrier concentration p-type ZnO doped at high pressure with Sb 期刊论文
Applied Physics Letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 2
作者:  Qin J. M.;  Yao B.;  Yan Y.;  Zhang J. Y.;  Jia X. P.;  Zhang Z. Z.;  Li B. H.;  Shan C. X.;  Shen D. Z.
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