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The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
Ultraviolet electroluminescence from a n-ZnO filmp-GaN heterojunction under both forward and reverse bias 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 42, 页码: 11368-11373
作者:  Ai, Q.;  Liu, K. W.;  Ma, H. Y.;  Yang, J. L.;  Chen, X.;  Li, B. H.;  Shen, D. Z.
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light-emitting-diodes  microwire  barriers  band  Materials Science  Physics