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Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6
作者:  Kai, CuiHong;  Sun, XiaoJuan;  Jia, YuPing;  Shi, ZhiMing;  Jiang, Ke;  Ben, JianWei;  Wu, You;  Wang, Yong;  Liu, HeNan;  Li, XiaoHang;  Li, DaBing
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pit defects  surface potential  electron concentration  
Plasmonic Nanolithography：A Review 期刊论文
Plasmonics, 2011, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 9237
作者:  鱼卫星;  王泰升;  张红鑫;  刘华;  李凤有;  卢振武;  孙强
Adobe PDF(925Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：470/114  |  提交时间：2012/05/11