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AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件 期刊论文
人工晶体学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 11, 页码: 2046-2067
作者:  贲建伟;  孙晓娟;  蒋科;  陈洋;  石芝铭;  臧行;  张山丽;  黎大兵;  吕威
Adobe PDF(4280Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：286/104  |  提交时间：2021/07/06
AlGaN基材料  外延生长  掺杂  紫外发光器件  紫外探测  
AlGaN表面相分离的同位微区荧光光谱和高空间分辨表面电势表征 期刊论文
物理学报, 2020, 卷号: 69, 期号: 12, 页码: 319-327
作者:  刘博阳;  宋文涛;  刘争晖;  孙晓娟;  王开明;  王亚坤;  张春玉;  陈科蓓;  徐耿钊;  徐科;  黎大兵
Adobe PDF(2033Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：189/40  |  提交时间：2021/07/06
铝镓氮  相分离  扫描开尔文探针显微术  荧光光谱  
Carrier behavior in the vicinity of pit defects in GaN characterized by ultraviolet light-assisted Kelvin probe force microscopy 期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2019, 卷号: 62, 期号: 6, 页码: 6
作者:  Kai, CuiHong;  Sun, XiaoJuan;  Jia, YuPing;  Shi, ZhiMing;  Jiang, Ke;  Ben, JianWei;  Wu, You;  Wang, Yong;  Liu, HeNan;  Li, XiaoHang;  Li, DaBing
收藏  |  浏览/下载：505/0  |  提交时间：2019/05/22
pit defects  surface potential  electron concentration  
Influence of Dislocations on the Refractive Index of AlN by Nanoscale Strain Field 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14, 期号: 1
作者:  Ben,Jianwei;  Sun,Xiaojuan;  Jia,Yuping;  Jiang,Ke;  Shi,Zhiming;  Wu,You;  Kai,Cuihong;  Wang,Yong;  Luo,Xuguang;  Feng,Zhe Chuan;  Li,Dabing
收藏  |  浏览/下载：291/0  |  提交时间：2019/08/21
Refractive index  AlN  Threading dislocation density  Nanoscale strain field around dislocations  
量子随机数高斯噪声信号发生器 期刊论文
光学精密工程, 2019, 卷号: 27, 期号: 07, 页码: 1492-1499
作者:  余恒炜;  孙晓娟;  王星辰;  蒋科;  吴忧;  程东碧;  石芝铭;  贾玉萍;  黎大兵
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高斯噪声  单光子  随机数源  幅度谱  功率谱  
Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent system 期刊论文
LIGHT-SCIENCE & APPLICATIONS, 2018, 卷号: 7, 页码: 7
作者:  Wang, Yongjin;  Wang, Xin;  Zhu, Bingcheng;  Shi, Zheng;  Yuan, Jialei;  Gao, Xumin;  Liu, Yuhuai;  Sun, Xiaojuan;  Li, Dabing;  Amano, Hiroshi
浏览  |  Adobe PDF(1608Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：396/114  |  提交时间：2019/08/26
si substrate  diode  integration  electron  devices  Optics  
Roomerature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si 期刊论文
Light: Science and Applications, 2018, 卷号: 7, 期号: 1
作者:  Sun, Yi;  Zhou, Kun;  Feng, Meixin;  Li, Zengcheng;  Zhou, Yu;  Sun, Qian;  Liu, Jianping;  Zhang, Liqun;  Li, Deyao;  Sun, Xiaojuan;  Li, Dabing;  Zhang, Shuming;  Ikeda, Masao;  Yang, Hui
浏览  |  Adobe PDF(1095Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：415/123  |  提交时间：2019/09/17
Roomerature Electrically Injected AlGaN-Based near-Ultraviolet Laser Grown on Si 期刊论文
ACS Photonics, 2018, 卷号: 5, 期号: 3, 页码: 699-704
作者:  Feng, Meixin;  Li, Zengcheng;  Wang, Jin;  Zhou, Rui;  Sun, Qian;  Sun, Xiaojuan;  Li, Dabing;  Gao, Hongwei;  Zhou, Yu;  Zhang, Shuming;  Li, Deyao;  Zhang, Liqun;  Liu, Jianping;  Wang, Huaibing;  Ikeda, Masao;  Zheng, Xinhe;  Yang, Hui
浏览  |  Adobe PDF(3885Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：361/97  |  提交时间：2019/09/17
Ultraviolet lasers  Aluminum alloys  Aluminum gallium nitride  Aluminum nitride  Defects  Gallium alloys  III-V semiconductors  Lasers  Lattice mismatch  Quantum well lasers  Semiconductor alloys  Semiconductor quantum wells  Stresses  Thermal expansion  
大失配、强极化第三代半导体材料体系生长动力学和载流子调控规律 期刊论文
发光学报, 2016, 期号: 11, 页码: 1305-1309
作者:  王新强;  黎大兵;  刘斌;  孙钱;  张进成
caj(2717Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：392/106  |  提交时间：2017/09/17
氮化镓  大失配  强极化  生长动力学  载流子调控  
GaN缓冲层对直流反应磁控溅射AlN薄膜的影响(英文) 期刊论文
发光学报, 2012, 期号: 10, 页码: 1089-1094
作者:  王新建;  宋航;  黎大兵;  蒋红;  李志明;  缪国庆;  陈一仁;  孙晓娟
caj(544Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：700/181  |  提交时间：2013/03/11
Aln  Gan缓冲层  晶体结构  晶粒尺寸