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High performance back-illuminated MIS structure AlGaN solar-blind ultraviolet photodiodes 期刊论文
Journal of Materials Science-Materials in Electronics, 2018, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: 9077-9082
作者:  Han, W. Y.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Chen, Y. R.;  Song, H.;  Miao, G. Q.;  Fan, F.;  Chen, H. F.;  Liu, Z.;  Jiang, H.
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p-i-n  photodetectors  template  films  Engineering  Materials Science  Physics  
The optimized growth of AlN templates for back-illuminated AlGaN-based solar-blind ultraviolet photodetectors by MOCVD 期刊论文
Journal of Materials Chemistry C, 2018, 卷号: 6, 期号: 18, 页码: 4936-4942
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Jiang, H.;  Li, Z. M.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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threading dislocations  nucleation layer  gan  temperature  sapphire  Materials Science  Physics  
Preliminary design and analysis of telescope for space gravitational wave detection 期刊论文
Chinese Optics, 2018, 卷号: 11, 期号: 1, 页码: 131-151
作者:  Wang, Zhi;  Sha, Wei;  Chen, Zhe;  Kang, Yu-Si;  Luo, Zi-Ren;  Li, Ming;  Li, Yu-Peng
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Gravity waves  Gravitational effects  Laser interferometry  Signal detection  Stray light  Telescopes  
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering  
Microwave-Assisted Heating Method toward Multicolor Quantum Dot-Based Phosphors with Much Improved Luminescence 期刊论文
Acs Applied Materials & Interfaces, 2018, 卷号: 10, 期号: 32, 页码: 27160-27170
作者:  Zhou, D.;  Wang, Y.;  Tian, P. F.;  Jing, P. T.;  Sun, M. L.;  Chen, X.;  Xu, X. W.;  Li, D.;  Mei, S. L.;  Liu, X. Y.;  Zhang, W. L.;  Guo, R. Q.;  Qu, S. N.;  Zhang, H.
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aqueous quantum dot  sodium silicate  phosphors  white-light-emitting  diode  visible light communication  light-emitting-diodes  cdte nanocrystals  circular-dichroism  highly  luminescent  color-converter  white leds  communication  photoluminescence  semiconductor  fluorescence  Science & Technology - Other Topics  Materials Science  
The Influence of n-AlGaN Inserted Layer on the Performance of Back-Illuminated AlGaN-Based p-i-n Ultraviolet Photodetectors 期刊论文
Physica Status Solidi a-Applications and Materials Science, 2018, 卷号: 215, 期号: 2, 页码: 5
作者:  Chen, Y. R.;  Zhang, Z. W.;  Li, Z. M.;  Jiang, H.;  Miao, G. Q.;  Song, H.
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AlGaN  inserted layers  p-i-n structures  ultraviolet photodetectors  suppression  diodes  Materials Science  Physics