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Shift of responsive peak in GaN-based metal-insulator-semiconductor photodetectors 期刊论文
Applied Physics Letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 12
作者:  You K.;  Jiang H.;  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.;  Miao G. Q.;  Liu H. B.
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Short-wavelength light beam in situ monitoring growth of InGaN/GaN green LEDs by MOCVD 期刊论文
Nanoscale Research Letters, 2012, 卷号: 7
作者:  Sun X. J.;  Li D. B.;  Song H.;  Chen Y. R.;  Jiang H.;  Miao G. Q.;  Li Z. M.
收藏  |  浏览/下载：561/0  |  提交时间：2013/03/27
Diode-pumped acousto-optically Q-switched high-repetition-rate Nd:YAG lasers at 946 and 473 nm by intracavity frequency-doubling 期刊论文
Laser Physics, 2012, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 81-86
作者:  Chen F.;  Yu X.;  Guo J.;  Guo L. H.;  Yang G. L.;  Xie J. J.;  Zhang L. M.;  Geng Y. M.;  Li S. M.;  Li D. J.;  Shao C. L.;  Meng F. J.;  Zhang C. S.;  Yan R. P.
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Realization of a High-Performance GaN UV Detector by Nanoplasmonic Enhancement 期刊论文
Advanced Materials, 2012, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 845-+
作者:  Li D. B.;  Sun X. J.;  Song H.;  Li Z. M.;  Chen Y. R.;  Jiang H.;  Miao G. Q.
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EXPERIMENTAL INVESTIGATION OF THE PULSE WIDTH OF A DIODE-PUMPED ACOUSTO-OPTICALLY Q-SWITCHED Tm:YAG LASER 期刊论文
Journal of Russian Laser Research, 2012, 卷号: 33, 期号: 1, 页码: 98-102
作者:  Wu C. T.;  Chen F.;  Wang R.;  Ju Y. L.
Adobe PDF(242Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：658/95  |  提交时间：2012/10/21