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Theoretical analysis of the detectivity in N-p and P-n GaSb/GaInAsSb infrared photodetectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 2000, 卷号: 47, 期号: 3, 页码: 544-552
作者:  Tian Y.;  Zhang B. L.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
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The effect of auger mechanism on n(+)-p GaInAsSb infrared photovoltaic detectors 期刊论文
Ieee Transactions on Electron Devices, 1999, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 656-660
作者:  Tian Y. A.;  Zhou T. M.;  Zhang B. L.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
Adobe PDF(241Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：471/93  |  提交时间：2012/10/21