中文版 | English

在结果中检索

CIOMP OpenIR

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4InP grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G.;  Jiang H.;  Cao L.;  Sun X.;  Li D.;  Chen Y.;  Li Z.
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：634/158  |  提交时间：2012/10/21
Influence of buffer layer thickness and epilayer's growth temperature on crystalline quality of InAs0.6P0.4/Inp grown by LP-MOCVD 期刊论文
Solid State Communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 12, 页码: 904-907
作者:  Liu X.;  Song H.;  Miao G. Q.;  Jiang H.;  Cao L. Z.;  Sun X. J.;  Li D. B.;  Chen Y. R.;  Li Z. M.
Adobe PDF(1046Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：638/134  |  提交时间：2012/10/21
Scanning electron acoustic microscopy of semiconductor materials 期刊论文
Solid State Communications, 1996, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 853-857
作者:  Li S. W.;  Jiang F. M.;  Yin Q. R.;  Jin Y. X.
Adobe PDF(512Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：342/24  |  提交时间：2012/10/21
Study of GaInAsSb epilayer by scanning electron acoustic microscopy 期刊论文
Solid State Communications, 1996, 卷号: 97, 期号: 11, 页码: 975-977
作者:  Li S. W.;  Jin Y. X.;  Zhang B. L.;  Ning Y. Q.;  Zhou T. M.;  Jiang H.;  Yuan G.
Adobe PDF(379Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：417/38  |  提交时间：2012/10/21
LUMINESCENCE OF ER-IMPLANTED POROUS SILICON 期刊论文
Solid State Communications, 1995, 卷号: 96, 期号: 5, 页码: 317-320
作者:  Li Y.;  Zhou Y. D.;  Li J. S.;  Jiang H.;  Jin Y. X.
Adobe PDF(297Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：439/96  |  提交时间：2012/10/21